PDTB113EK數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 1 kOhms 電阻-發射極基（R2） 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 33 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SMT3; MPAK |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 1 kOhms 電阻-發射極基（R2） 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 33 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 500mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
