PDTC143ES數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7 kOhms 電阻-發射極基(R2) 4.7 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 500mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7 kOhms 電阻-發射極基(R2) 4.7 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SMT3; MPAK |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7 kOhms 電阻-發射極基(R2) 4.7 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-89, SOT-490 供應商設備包裝 SC-89 |