PHB23NQ10LT數據表
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 23A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 72mOhm @ 10A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 49nC @ 10V Vgs(最大) ±15V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1704pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 98W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |