PHK4NQ20T數據表
|
制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 130mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1230pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
