PHKD6N02LT數據表
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制造商 Nexperia USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs 20mOhm @ 3A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15.3nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 950pF @ 10V 功率-最大 4.17W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
