PHM30NQ10T數據表
|
制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 37.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 20mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 53.7nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3600pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 62.5W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-HVSON (6x5) 包裝/箱 8-VDFN Exposed Pad |
