PHP3055E數據表
|
制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 150mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.8nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 250pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 33W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 150mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.8nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 250pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 33W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
