PHT8N06LT數據表
|
制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 80mOhm @ 5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 11.2nC @ 5V Vgs（最大） ±13V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 650pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-223 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
