PMDT670UPE數據表
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制造商 Nexperia USA Inc. 系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 550mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 850mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.14nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 87pF @ 10V 功率-最大 330mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 SOT-666 |
