PMG45UN數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 3.3nC @ 4.5V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 184pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 375mW (Ta), 4.35W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSSOP 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
