PMXB65ENEZ數據表
|
制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 67mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 11nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 295pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 400mW (Ta), 8.33W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DFN1010D-3 包裝/箱 3-XDFN Exposed Pad |
