PMZB600UNELYL數據表
|
制造商 Nexperia USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 600mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.7nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 21.3pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 360mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DFN1006B-3 包裝/箱 3-XFDFN |
