PSMN006-20K數據表
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制造商 Nexperia USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 700mV @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 32nC @ 2.5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4350pF @ 20V FET功能 - 功耗（最大值） 8.3W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
