QS5U34TR數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.5nC @ 4.5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 110pF @ 10V FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值） 900mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TSMT5 包裝/箱 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
