QS5W1TR數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) Common Emitter 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 400mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 500mA, 2V 功率-最大 1.25W 頻率-過渡 270MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 供應商設備包裝 TSMT5 |
