QSX8TR數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 350mV @ 25mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 270 @ 100mA, 2V 功率-最大 1.25W 頻率-過渡 320MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 TSMT6 (SC-95) |
