R1LV0816ABG-7SI#S0數據表
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 8Mb (512K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 2.4V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-FBGA (7.5x8.5) |
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 8Mb (512K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-FBGA (7.5x8.5) |
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 8Mb (512K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 2.4V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-FBGA (7.5x8.5) |
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 8Mb (512K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-FBGA (7.5x8.5) |