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R1WV3216RBG-7SR#B0數據表

R1WV3216RBG-7SR#B0數據表
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Renesas Electronics America
此數據表涵蓋了3零件號: R1WV3216RBG-7SR#B0, R1WV3216RBG-7SI#S0, R1WV3216RBG-7SI#B0
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R1WV3216RBG-7SR#B0

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-FBGA (7.5x8.5)

R1WV3216RBG-7SI#S0

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-FBGA (7.5x8.5)

R1WV3216RBG-7SI#B0

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-FBGA (7.5x8.5)