RDD023N50TL數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5.4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 11nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 151pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 20W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 CPT3 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
