RFD10P03LSM數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 200mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 30nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1035pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252-3 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
