RFP4N100數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.5Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 120nC @ 20V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
