RJK0603DPN-E0#T2數據表
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 80A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 40A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 57nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 4150pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 125W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |