RJK2006DPE-00#J3數據表
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 40A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 59mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 43nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1800pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 100W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 4-LDPAK 包裝/箱 SC-83 |