RJK60S7DPK-M0#T0數據表
|
制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 125mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 39nC @ 10V Vgs（最大） +30V, -20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2300pF @ 25V FET功能 Super Junction 功耗（最大值） 227.2W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-3PSG 包裝/箱 TO-3P-3, SC-65-3 |
