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RN1113CT(TPL3)數據表

RN1113CT(TPL3)數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1113CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

-

功率-最大

50mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

CST3

RN1112CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

-

功率-最大

50mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

CST3