RP1E090RPTR數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 16.9mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 30nC @ 5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3000pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 2W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 MPT6 包裝/箱 6-SMD, Flat Leads |
