RQA0002DNSTB-E數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID 750mV @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） 15W (Tc) 工作溫度 150°C 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 2-HWSON (5x4) 包裝/箱 3-DFN Exposed Pad |
