RQJ0303PGDQA#H6數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 68mOhm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 12nC @ 10V Vgs（最大） +10V, -20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 625pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 800mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 3-MPAK 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
