RQJ0305EQDQS#H1數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 3nC @ 4.5V Vgs（最大） +8V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 330pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1.5W (Ta) 工作溫度 150°C 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 UPAK 包裝/箱 TO-243AA |
