Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

RQK0607AQDQS#H1數據表

RQK0607AQDQS#H1數據表
總頁數: 10
大小: 134.1 KB
Renesas Electronics America
此數據表涵蓋了1零件號: RQK0607AQDQS#H1
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 1
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 2
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 3
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 4
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 5
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 6
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 7
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 8
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 9
RQK0607AQDQS#H1數據表 頁面 10
RQK0607AQDQS#H1

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

UPAK

包裝/箱

TO-243AA