RSJ650N10TL數據表
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 65A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 9.1mOhm @ 32.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 260nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 10780pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 100W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 LPTS 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |