RSS070P05FU6TB數據表
![RSS070P05FU6TB數據表 頁面 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rss070p05fu6tb-0001.webp)
![RSS070P05FU6TB數據表 頁面 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rss070p05fu6tb-0002.webp)
![RSS070P05FU6TB數據表 頁面 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rss070p05fu6tb-0003.webp)
![RSS070P05FU6TB數據表 頁面 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rss070p05fu6tb-0004.webp)
![RSS070P05FU6TB數據表 頁面 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rss070p05fu6tb-0005.webp)
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 45V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 7A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 27mOhm @ 7A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 47.6nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 4100pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 2W (Ta) 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |