RT1C060UNTR數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 11nC @ 4.5V Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 870pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 650mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-TSST 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |