RTR025P02TL數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 95mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 630pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TSMT3 包裝/箱 SC-96 |
