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S12QR數據表

S12QR數據表
總頁數: 3
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GeneSiC Semiconductor
此數據表涵蓋了7零件號: S12QR, S12Q, S12MR, S12M, S12KR, S12K, 1N1206A
S12QR數據表 頁面 1
S12QR數據表 頁面 2
S12QR數據表 頁面 3
S12QR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

S12Q

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

S12MR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

S12M

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

S12KR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

S12K

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

1N1206A

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

-65°C ~ 200°C