S29WS512R0SBHW200數據表
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制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 WS-R 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 512Mb (32M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字，頁 60ns 訪問時間 80ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 84-VFBGA 供應商設備包裝 84-FBGA (11.6x8) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 WS-R 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 512Mb (32M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字，頁 60ns 訪問時間 80ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 84-VFBGA 供應商設備包裝 84-FBGA (11.6x8) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 WS-R 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字，頁 60ns 訪問時間 80ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 84-VFBGA 供應商設備包裝 84-FBGA (11.6x8) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 WS-R 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字，頁 60ns 訪問時間 80ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 84-VFBGA 供應商設備包裝 84-FBGA (11.6x8) |
