SCT30N120數據表
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制造商 STMicroelectronics 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 100mOhm @ 20A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 2.6V @ 1mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 105nC @ 20V Vgs（最大） +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1700pF @ 400V FET功能 - 功耗（最大值） 270W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 HiP247™ 包裝/箱 TO-247-3 |
