SDP10S30數據表
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Infineon Technologies
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制造商 Infineon Technologies 系列 CoolSiC™+ 二極管類型 Silicon Carbide Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 300V 電流-平均整流（Io） 10A (DC) 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.7V @ 10A 速度 No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢復時間（trr） 0ns 當前-反向泄漏@ Vr 200µA @ 300V 電容@ Vr，F 600pF @ 0V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 PG-TO220-3 工作溫度-結點 -55°C ~ 175°C |
制造商 Infineon Technologies 系列 CoolSiC™+ 二極管類型 Silicon Carbide Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 300V 電流-平均整流（Io） 10A (DC) 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.7V @ 10A 速度 No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢復時間（trr） 0ns 當前-反向泄漏@ Vr 200µA @ 300V 電容@ Vr，F 600pF @ 0V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 PG-TO220-2-2 工作溫度-結點 -55°C ~ 175°C |
