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SGSD200數據表

SGSD200數據表
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STMicroelectronics
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SGSD200

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 80mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 10A, 3V

功率-最大

130W

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

SGSD100

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 80mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 10A, 3V

功率-最大

130W

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3