SH8M12TB1數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5A, 4.5A Rds On(Max)@ Id,Vgs 42mOhm @ 5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 4nC @ 5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 250pF @ 10V 功率-最大 2W 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP |