SI1470DH-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5.1A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 66mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.6V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 7.5nC @ 5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 510pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |