SI1553DL-T1-GE3數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 660mA, 410mA Rds On(Max)@ Id,Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 600mV @ 250µA (Min) 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.2nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 270mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-70-6 (SOT-363) |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 660mA, 410mA Rds On(Max)@ Id,Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 600mV @ 250µA (Min) 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.2nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 270mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-70-6 (SOT-363) |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 660mA, 410mA Rds On(Max)@ Id,Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 600mV @ 250µA (Min) 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.2nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 270mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-70-6 (SOT-363) |