SI1903DL-T1-GE3數據表
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Vishay Siliconix
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SI1903DL-T1-GE3, SI1903DL-T1-E3
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 410mA Rds On(Max)@ Id,Vgs 995mOhm @ 410mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.8nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 270mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-70-6 (SOT-363) |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 410mA Rds On(Max)@ Id,Vgs 995mOhm @ 410mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.8nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 270mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-70-6 (SOT-363) |