SI1913DH-T1-E3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 880mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 490mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 570mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-70-6 (SOT-363) |
