SI2302DS數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 650mV @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 230pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 830mW (Tc) 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-236AB (SOT23) 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
