SI3442BDV-T1-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 57mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 295pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 860mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 57mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 295pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 860mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
