SI3493BDV-T1-E3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 27.5mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 43.5nC @ 5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1805pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 27.5mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 43.5nC @ 5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1805pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
