SI3493DDV-T1-GE3數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1825pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 3.6W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |