SI3529DV-T1-GE3數據表
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Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI3529DV-T1-GE3, SI3529DV-T1-E3
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A, 1.95A Rds On（Max）@ Id，Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 205pF @ 20V 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 6-TSOP |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A, 1.95A Rds On（Max）@ Id，Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 205pF @ 20V 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 6-TSOP |
