SI3911DV-T1-E3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 830mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 6-TSOP |
